New-Tech Magazine | July 2022 | Digital Edition

היישור העצמי של שכבת המתכת העליונה (רותניום) הושג באמצעות שלב איכול נוסף של הרותניום לאחר הצפת קדח המעבר ועיצוב הרותניום. הדגמה ראשונה בפועל של התנגדות ואמינות טובות ננומטר 18 ברוחב באמצעות איכול הרותניום והשימוש בקדחי מעבר עם יכולת יישור עצמי, בנינו התקן מתפקד הבנוי משתי שכבות מתכת ברוחב בשילוב EUV ננומטר. ליתוגרפיית 18 טכנולוגיית עיצוב כפולה עם יכולת יישור ) שימשו לעיצוב פס הרותניום SADP עצמי ( ננומטר) התחתון בשכבה 9 "הרחב" ( ), בעוד Mx המקומית של מחבר הביניים ( בחשיפה EUV שטכנולוגיית ליתוגרפיית ) Mx +1 אחת שימשה להדפסת הפס העליון ( וקדח המעבר. בשכבת המתכת העליונה שולבו כיסוי אוויר במטרה לפצות על העלייה בקיבול. בהשוואת התנגדות הפס כפונקציה של אזור המוליכות בין רותניום לנחושת, הציג הרותניום ביצועים עדיפים בגדלים האלה. יכולת היישור העצמי של קדח המעבר אומתה גם באמצעים חזותיים וגם בבדיקות חשמליות. הושגה התנגדות קדח מעבר עד 18 בטווח הגדלים 60 Ω עד 40 Ω מצוינת ( ננומטר), וכן הודגם שדה פריצה חשמלית 26 . MV / cm 9 > זולט טוקיי מסכם: "הדגמנו ביצועים טובים בכל המשתנים הטכניים החשובים, כולל התנגדות ואמינות קדח המעבר והפס. התוצאות מראות כי טכנולוגיית השיקוע למחצה יכולה לשמש חלופה Damascene Damascene אמיתית לשיטת השיקוע כפולה המסורתית, לצורך הדפסת שלוש השכבות המקומיות הראשונות של מחבר ננומטר או קטן 1 הביניים בתהליך ייצור יותר. ההתקן שבנינו משתי שכבות מתכת וקדחי מעבר עם יכולת יישור עצמית הוא הישג משמעותי שסולל את הדרך לעתיד." אפשר להשיג שיפורים נוספים על ידי הגדלת יחס הצירים של הפסים (להקטנת ההתנגדות) תוך שמירה על כיסי אוויר (לשליטה על על שיטות imec הקיבול). במקביל, עובדת BEOL ו־ MOL חדשות להשבחת תהליכי Damascene באמצעות טכנולוגיית השיקוע למחצה (שמאפשרת להמשיך ולמזער את התא).

התנגדות הפס כפונקציה של אזור המוליכות בפסי רותניום לעומת :4 תמונה « .) VLSI 2022 נחושת (התמונה הוצגה בכינוס IMEC קרדיט:

About the authors Gayle Murdoch graduated from the University of Edinburgh in 1997 with an honours degree in chemical physics . She began her career in the UK semiconductor manufacturing industry , first at NEC Semiconductors as a lithography engineer , and later joined Filtronic Compound Semiconductors , where she worked on etching development and integration for GaAs devices , eventually becoming a lead etch engineer . In 2008 she joined imec ’ s Advanced Lithography team before moving to BEOL integration in 2013. She has worked on a range of topics , including low k dielectric integration , fully self - aligned vias , and , most recently , semi - damascene integration . She currently holds the position of principal member of technical staff and leads the BEOL integration team .

Zsolt Tokei is imec fellow , and program director of nano - interconnects at imec . He joined imec in 1999 and , since then , has held various technical positions in the organization . First , as a process engineer and researcher in the field of copper low - k interconnects , then headed the metal section . Later he became principal scientist , and program director of nano - interconnects . He earned a M . S . )1994( in physics from the University Kossuth in Debrecen , Hungary . In the framework of a co - directed thesis between the Hungarian University Kossuth and the French University Aix Marseille - III , he obtained his PhD )1997( in physics and materials science . In 1998, he started working at the Max - Planck Institute of Düsseldorf , Germany , as a post - doctorate researcher . Joining imec , he continued working on a range of interconnect issues , including scaling , metallization , electrical characterization , module integration , reliability , and system aspects .

Zsolt Tokei IMEC קרדיט:

Gayle Murdoch

«

«

IMEC קרדיט:

New-Tech Magazine l 54