ניו-טק מגזין | יולי 2023 | מהדורה דיגיטלית

CFET עם הפנים לטרנזיסטורים מונוליתיים מסוג

IMEC

זה על גבי זה ואנחנו עדיין נמצאים בשלבים הראשונים של המחקר. הוצעו כמה שיטות , ובהן שיטת CFET לייצור טרנזיסטורים מסוג ייצור מונוליתית ולינארית. בתהליך ייצור ליניארי, כל הרכיבים מיוצרים על גבי מצעים נפרדים ואז מודבקים זה מעל זה לפי הסדר. בתהליך ייצור מונוליתי, נבנה הטרנזיסטור כולו באופן אנכי על גבי אותו מצע." טרנזיסטורים מונוליתיים מסוג : הדרך המהירה ביותר CFET למימושם imec אן ואן דורן, חברה בכירה בסגל הטכני ב־ מסבירה: "בתחום שבבי הלוגיקה, מתמקדת ושותפיה בפיתוח שיטה imec פעילותה של לייצור טרנזיסטורים מונוליתיים מסוג , מכיוון שהיא תאפשר לנצל חלק CFET מהתהליכים והציוד המשמשים היום בייצור ננו־משטחים. אי לכך, הדעה הרווחת היא שזאת תהיה הדרך המהירה ביותר להגיע . CFET לייצור המוני של טרנזיסטורים מסוג עם זאת, כדי ליצור את המבנה האנכי שממנו ייוצרו שני סוגי הטרנזיסטורים, יש צורך בתהליך עם יחס צירים גבוה, השמת (ריבוץ) והסרת חומר סלקטיביות והשמת שכבות

נמצאת בעיצומו של מעבר מטרנזיסטורים לארכיטקטורת ננו־משטחים FinFET מסוג ), שתשמש כבסיס לדורות הבאים Nanosheet ( של שבבי הלוגיקה. ייתכן שבהמשך נציג , Forksheet פתרון המבוסס על ארכיטקטורת שהוצעה לפני שנים מספר. היא מבוססת על ארכיטקטורת הננו־משטחים, אך בשונה ממנה מאפשרת להגיע למרווחים קטנים יותר בין טרנזיסטורים סמוכים וכך להמשיך למזער את השבבים ולשפר את ביצועיהם לעומת ארכיטקטורת הננו־משטחים המסורתית. CFET אנחנו צופים שטרנזיסטורים מסוג ייכנסו למפת הדרכים הטכנולוגית לקראת סוף העשור הנוכחי. מכיוון שבארכיטקטורה הזאת pMOS ו־ nMOS מוצבים הטרנזיסטורים מסוג זה על גבי זה, אין עוד צורך להפריד ביניהם, כך שאפשר להקטין את גובה התא. לצד פיתוחן של טכנולוגיות מתקדמות נוספות, שיאפשרו יצירת מגע בין הטרנזיסטורים האלה, תאפשר הארכיטקטורה הזאת את המשך מזעור גובה והלאה, וכך למזער באופן 4 T ל־ 5 T הרצועות מ־ משמעותי גם את גודל התא. מנקודת מבט של תהליך הייצור, מדובר במשימה מורכבת, מכיוון שיש צורך למקם pMOS ו־ nMOS את הטרנזיסטורים מסוג

מגדירה מהם השלבים והרכיבים Imec החיוניים למימוש טרנזיסטורים מונוליתיים CFET מסוג פיתוח תהליך לייצור אב טיפוס של ■ הוא CFET טרנזיסטור מסוג מונוליתי מסוג לא דבר של מה בכך, בשל הצורך להפריד אנכית מבלי pMOS ו־ nMOS בין הטרנזיסטורים מסוג להגדיל את השבב. בראיון זה, מסבירים האנס מרטנס, אן ■ ואן דורן וסטיבן דמוינק – מהצוות המתמחה – כיצד הם imec ב־ CFET בטרנזיסטורים מסוג מתקדמים בהתמדה לפתרון המורכבות הזאת. הם מתארים מהם תהליכי הייצור והרכיבים ■ CFET הנחוצים למימוש טרנזיסטורים מסוג ומדגישים כי פיתוח טכנולוגיה ליצירת החיבורים בגב פרוסת הסיליקון, הוא המפתח להמשך מזעור התאים. הם CFET טרנזיסטורים מסוג השלב הבא של ארכיטקטורת הננו־משטחים במפת הדרכים הטכנולוגית של תעשיית שבבי הלוגיקה imec האנס מרטנס, חבר בכיר בסגל הטכני ב־ מסביר: "כיום, תעשיית המוליכים למחצה

New-Tech Magazine l 42